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電源適配器EMC測(cè)試之前

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電源適配器EMC測(cè)試之前

電源適配器EMC設(shè)計(jì)是為了保證產(chǎn)品的EMC性能,而EMC性能的好壞直接涉及到電源適配器的市場(chǎng)準(zhǔn)入,隨著電子設(shè)備的大量運(yùn)用,各國(guó)都認(rèn)識(shí)到了電源適配器EMC 性能的重要性,紛紛從法規(guī)上提出對(duì)進(jìn)入本國(guó)市場(chǎng)的電子產(chǎn)品的EMC要求。電源適配器的 EMC 性能好壞,還關(guān)系到產(chǎn)品的穩(wěn)定性,影響客戶滿意度;主要表現(xiàn)在:產(chǎn)品 EMC 設(shè)計(jì)考慮不周易引起內(nèi)部串?dāng)_,影響產(chǎn)品穩(wěn)定性;抗外部干擾能力差,工作難穩(wěn)定;產(chǎn)生干擾會(huì)引起客戶投訴。最后產(chǎn)品的 EMC 性能好壞還與產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力密切相關(guān)。

1、溫升測(cè)試,45℃烤箱環(huán)境,輸入90,264時(shí)變壓器磁芯,線包不超過(guò)110℃,PCB在130℃以內(nèi)。其他的元器件具體值參考下安規(guī)要求,溫度最難整的一般都是變壓器。

2、絕緣耐壓測(cè)試DC500V,阻值大于100MΩ,初次級(jí)打AC3000V時(shí)間60S,小于10mA,產(chǎn)線量產(chǎn)可以打AC3600V,6S。建議采用直流電壓DC4242打耐壓。耐壓電流設(shè)置10mA,測(cè)試過(guò)程中測(cè)試儀器報(bào)警,要檢查初次級(jí)距離,初級(jí)到外殼,次級(jí)到外殼距離,能把測(cè)試室拉上窗簾更好,能快速找到放電的位置的電火花。
3、對(duì)地阻抗,一般要小于0.1Ω,測(cè)試條件電流40A。 

4、ESD一般要求接觸4K,空氣8K,有個(gè)電阻電容模型問(wèn)題。一般會(huì)把等級(jí)提高了打,打到最高的接觸8K,空氣15K。打ESD時(shí),共模電感底下有放電針的話,放電針會(huì)放電。電源適配器的ESD還會(huì)在散熱器與不同元器件之間打火,一般是距離問(wèn)題和PCB的layout問(wèn)題。打ESD打到15K把電源打壞就知道自己做的電源能抗多大的電壓,做安規(guī)認(rèn)證時(shí),心里有底。如果客戶有要求更高的電壓也知道怎么處理。參考EN61000-4-2。

SMT/AI適配器PCB電路板

5、EFT這個(gè)沒(méi)有出現(xiàn)過(guò)問(wèn)題2KV。參考EN61000-4-4。
6、雷擊,差模1K,共模2K,采用壓敏14D471,有輸入大電解,走線沒(méi)有大問(wèn)題基本PASS。碰到過(guò)雷擊不過(guò)的情況,小功率5W,10W的打掛了,采用能抗雷擊的電解電容。單極PFC做反激打掛了MOSFET,在輸入橋堆后加入二極管與電解電容串聯(lián),電容吸收能量。LED電源適配器打2K與4K的情況,4KV就要采用壓敏電阻+GDT的形式。參考EN61000-4-5。
EFT,ESD,SURGE有A,B,C等級(jí)。一般要A等級(jí):干擾對(duì)電源適配器無(wú)影響。

7、低溫起機(jī)。一般便宜的電源,溫度范圍是0-45℃,貴的,工業(yè)類,或者LED什么的有要求-40℃-60℃,甚至到85℃。-40℃的時(shí)候輸入NTC增大了N倍,輸入電解電容明顯不夠用了,ESR很大,還有PFC如果用500V的MOSFET也是有點(diǎn)危險(xiǎn)的(低溫時(shí)MOSFET的耐壓值變低)。之前碰到過(guò)90V輸入的時(shí)候輸出電壓跳,或者是LED閃幾次才正常起來(lái)。增加輸入電容容量,改小NTC,增加VCC電容,軟啟動(dòng)時(shí)間加長(zhǎng),初級(jí)限流(輸入容量不夠,導(dǎo)致電壓很低,電流很大,觸發(fā)保護(hù))從1.2倍放大到1.5倍,IC的VCC繞組增加2T輔助電壓抬高;查找保護(hù)線路是否太極限,低溫被觸發(fā)(如PFC過(guò)壓易被觸發(fā))。


一、IEC1000—4—2 靜電放電
靜電放電抗擾度測(cè)試是檢驗(yàn)設(shè)備抗靜電的能力,同時(shí)也是檢驗(yàn)設(shè)備抗高頻干擾的能 力。
測(cè)試中的放電方法有兩種,一種是直接放電,另一種是間接放電(空氣放電)。直 接放電是將帶電探頭與被測(cè)試對(duì)象直接接觸,并產(chǎn)生放電,這種放電方式能量較大。間 接放電是使帶電探頭與被測(cè)試對(duì)象保持一定的距離(通過(guò)探頭結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)),通過(guò)擊穿 空氣產(chǎn)生放電。測(cè)試次數(shù)一般是每個(gè)點(diǎn)10次。


二、IEC1000—4—3輻射電磁場(chǎng)
(1) 測(cè)試目的 輻射電磁場(chǎng)的抗擾度測(cè)試是檢驗(yàn)設(shè)備對(duì)空間電磁場(chǎng)的敏感程度。
(2) 測(cè)試方法 在暗室中用天線輻射一高頻正弦波,使受試設(shè)備處達(dá)到某一規(guī)定 的場(chǎng)強(qiáng),以檢驗(yàn)設(shè)備對(duì)高頻的敏感程度。
(3)測(cè)試等級(jí) 輻射電磁場(chǎng)的測(cè)試分為三級(jí),試驗(yàn)電壓分別為1V/m,3V/m和 10V/m。
(4) 測(cè)試頻率范圍 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定測(cè)試頻率范圍為80~1 000MHz。

三、 IEC1000—4—4快速瞬變
(1) 測(cè)試目的 主要用于測(cè)試設(shè)備抗高頻脈沖和抗各種開(kāi)關(guān)引起的脈沖能力。
(2) 測(cè)試方法 用間歇式脈沖群對(duì)設(shè)備進(jìn)行放電實(shí)驗(yàn),要求受檢測(cè)設(shè)備能夠正常 工作。

四、IEC1000—4—5浪涌抗擾度測(cè)試
(1) 測(cè)試目的 主要是測(cè)試設(shè)備抗雷擊和外界所引起的浪涌的能力。
(2) 測(cè)試方法 用一定電壓等級(jí)的脈沖通過(guò)耦合電容對(duì)設(shè)備進(jìn)行放電實(shí)驗(yàn),要求 受檢測(cè)設(shè)備能夠正常工作而不被損壞。
(3) 測(cè)試等級(jí) 測(cè)試等級(jí)是指測(cè)試脈沖開(kāi)路電壓幅值,它主要分為0.5kV,1kV, 2kV,4kV和特定5個(gè)等級(jí)。
(4) 能量范圍 脈沖上升時(shí)間為1.2μs,脈沖寬度為50μs。
(5) 浪涌產(chǎn)生的主要危害 浪涌脈沖的能量比較大,會(huì)燒壞電源適配器元器件,降低絕緣性 能,影響設(shè)備正常工作。


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| 發(fā)布時(shí)間:2018.06.19    來(lái)源:電源適配器廠家
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