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15W、12V電源適配器應(yīng)用電路

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15W、12V電源適配器應(yīng)用電路

電源適配器打破了傳統(tǒng)的穩(wěn)壓模式，它的調(diào)整元器件工作在開關(guān)狀態(tài)，即通過調(diào)整開關(guān)元器件的開關(guān)時間來實現(xiàn)穩(wěn)壓。電源適配器具有體積小、重量輕、功耗小、穩(wěn)壓范圍寬等特點，所以被廣泛地應(yīng)用在各種電子產(chǎn)品中。電源適配器廠家玖琪給大家介紹15W、12V電源適配器應(yīng)用電路，以使讀者對電源適配器有一個總體的認識和了解。

1．設(shè)計特點
圖所示電路具有以特點：設(shè)計簡單，成本低，元件數(shù)量少；空載功耗低，265V輸入時空載功耗小于100mW；效率高，90V輸入時效率大于81%；滿足CEC對帶載工作模式效率的要求（達到79%的效率，而標準要求的效率為73.5%）；相對于EN55022B傳導(dǎo)EMI限值，EMI裕量大于10dBμV；簡單的初級側(cè)輸出過壓鎖存關(guān)斷電路可在故障狀態(tài)下保護負載；工頻漏電流小于10μA。

2．工作原理
圖所示的反激式電源設(shè)計采用了8腳DIP封裝的TNY279PN（U1），非常適合適配器的應(yīng)用。U1的4個源極引腳分布在同一側(cè)，可通過嵌入一個小的金屬散熱片，使器件工作在外部環(huán)境溫度為40°C的密封適配器內(nèi)。在每一個使能開關(guān)周期，U1內(nèi)部的MOSFET導(dǎo)通，電流流過變壓器T1的初級繞組。當(dāng)初級電流達到MOSFET的限流點時，控制器關(guān)斷MOSFET，變壓器T1中的能量被傳送到輸出端。肖特基二極管VD7和電容C8對輸出電壓進行整流和濾波。電感L3和電容C9用于衰減輸出的開關(guān)頻率紋波。電容C3用于選擇U1的標準限流點。初級鉗位電路（VD5、R1、C5、R5和R6）將峰值漏極電壓控制在內(nèi)部MOSFET的700V擊穿電壓之下。電阻R1用于阻尼T1漏感引起的高頻振蕩。

圖15W、12V電源適配器電路

U1內(nèi)置的頻率抖動和E-ShieldTM技術(shù)只需使用簡單的EMI濾波就可以符合EN55022B的要求。電阻R2和C4組成RC緩沖電路以減小高頻EMI。
通過檢測變壓器輔助繞組電壓，可在初級側(cè)實現(xiàn)輸出過壓保護。如果U2失效造成主反饋開路時，一旦流進BP/M腳（通過VD8）的電流超過6.5mA，U1就鎖存。通過選擇VD8的參數(shù)使主輸出以及輔助輸出電壓在超過正常穩(wěn)壓范圍時觸發(fā)OVP鎖存。一旦被觸發(fā)，重新上電就會使OVP鎖存復(fù)位。
為了減小空載功耗和提高輕載效率，變壓器的輔助偏置繞組通過電阻R3給U1供電。為了避免增加空載損耗或者OVP的誤觸發(fā)，正確選擇VD8的參數(shù)，使輸出電壓在超出正常穩(wěn)壓范圍時才可導(dǎo)通。電阻R4阻止了過度的電流流進BP/M腳。VD1和VD3選用快速恢復(fù)二極管來減小低頻傳導(dǎo)EMI。

3．設(shè)計要點
在高壓、最大過載點條件下，最大漏極電壓小于650V。相應(yīng)地調(diào)整R5、R6和C5的參數(shù)，避免使鉗位損耗太大（R5和R6的阻值小，C5的容量大），從而減少空載損耗。變壓器的參數(shù)見表。
表變壓器參數(shù)

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| 發(fā)布時間：2019.06.15    來源：電源適配器廠家
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