電抗器的設(shè)計(jì) |
第一步,選擇材料 從圖中可以清楚地看到,在輸出二極管D1、D2正向?qū)щ娖陂g,電抗器磁心設(shè)置為飽和工作,為了在下一個(gè)導(dǎo)通周期的前沿提供相同的延時(shí),在關(guān)斷期間內(nèi)磁心必須重新復(fù)位。當(dāng)D、D2不導(dǎo)通時(shí),續(xù)流二極管D、D就導(dǎo)通。如果選用了低剩磁矩形磁滯回線材料,那么磁心通常能自動(dòng)復(fù)位,另外D1、D2的恢復(fù)電荷也較多,它足以實(shí)現(xiàn)磁心的復(fù)位。在一些應(yīng)用中,需要有復(fù)位電阻R1、R2提供復(fù)位通路。 很多小的矩形磁滯回線的環(huán)狀鐵氧體磁心就能滿足這個(gè)要求,在此例中采用了環(huán)形的TDKH5B2材料。
第二步,計(jì)算正確延時(shí)時(shí)間 在飽和之前,環(huán)形繞組只通過磁化電流,可以認(rèn)為處于關(guān)斷狀態(tài)。磁心在二極管正向偏置導(dǎo)通時(shí)達(dá)到飽和所花時(shí)間由施加的電壓、繞組匝數(shù)、額定磁通密度大小以及磁心的面積來決定。可以用下面的公式來描述:
式中,td=所需的延時(shí)時(shí)間; Np=匝數(shù); △B=磁通密度從Br到Bsat的變化,T; Br=在H=0時(shí)的剩余磁通密度; Bsat=飽和時(shí)的磁通密度,T; Ae=磁心有效面積,mm2; Vs=副邊電壓,V。 在本例中,在開始導(dǎo)通時(shí)加到磁心的次極電壓Vs可以由占空比與輸出電壓來計(jì)算公式如下:
式中,Vout=所要求的輸出電壓,V; ton=導(dǎo)通時(shí)間,μs; toff=關(guān)斷時(shí)間,μs。 在這個(gè)例子中,
其中,這里有匝數(shù)和磁心面積兩個(gè)變量可用于電壓的最后調(diào)整。為了方便起見,這里假設(shè)采用原邊繞組匝數(shù)為1,即從變壓器來的輸出導(dǎo)線只是簡單地通過環(huán)形繞組?,F(xiàn)在,這里就只剩下一個(gè)變量,即磁心面積。而所需要的磁心截面積可以由下式來計(jì)算:
顯然這是一個(gè)相對(duì)較大的磁心。從經(jīng)濟(jì)上來講,小電流應(yīng)用中原邊會(huì)使用多匝繞組。例如原邊繞組采用5匝,用1/5原先面積的磁心就可得到與上述相同的延時(shí),這時(shí)該面積Ae=11.4mm2,一般用TDKT7-14-3.5及相似環(huán)形繞組是合適的。 一般來說是有必要在整流二極管D1、D2的兩端分別并聯(lián)一個(gè)電阻R1、R2的,以使得在關(guān)斷期間磁心能夠充分地復(fù)位,但是,在非導(dǎo)通(即加反向電壓)期間,也許DD2的漏電流與恢復(fù)電荷不能足夠大以保證磁心充分復(fù)位。 注意:因?yàn)檩p載時(shí)輸出電壓會(huì)升高,這種電壓調(diào)整方法只適合于超過飽和電抗器磁化電流的負(fù)載的應(yīng)用中。在要求控制很小電流的地方,最好采用有多匝繞組的高導(dǎo)磁率的小磁心。因?yàn)殡姼信cN2成正比,而延時(shí)時(shí)間正比于N,這樣得到較小的磁化電流并控制較低的電流。 在這種方法中使用飽和電抗器具有另外一個(gè)優(yōu)點(diǎn),它減少了整流二極管的反向恢復(fù)電流,這在高頻正激式和連續(xù)反激變換器的應(yīng)用中是一個(gè)非常重要的優(yōu)點(diǎn)。 想了解關(guān)于更多電源適配器廠家排名,歡迎登錄:http://fukete.cn/ 文章轉(zhuǎn)載自網(wǎng)絡(luò),如有侵權(quán),請(qǐng)聯(lián)系刪除。 |
| 發(fā)布時(shí)間:2018.09.19 來源:電源廠 |
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