電源適配器在開(kāi)發(fā)IGBT的技術(shù)

電源適配器在開(kāi)發(fā)IGBT的技術(shù)中,隨看產(chǎn)品的更新?lián)Q代,制造技術(shù)不斷提高,精細(xì)加工也成為可能現(xiàn)在,功率器件主要采用lμm以下的加工尺寸。

幾代變遷與特性改進(jìn)（標(biāo)準(zhǔn)特性）

  ①IGBT從第一代到第四代的進(jìn)化,估計(jì)Uce(sat)可降低50%,tf可提高50%~60%,表22列出了每一代電源適配器Uce(sat)及tf的標(biāo)準(zhǔn)特性。

  ②采用溝槽式柵極結(jié)構(gòu),縮小芯片尺寸。從第三代向第四代發(fā)展的過(guò)程中,IGBT通過(guò)從芯片表面向芯片內(nèi)部溝槽式形成柵極,使精細(xì)加工成為可能,因?yàn)闁艠O的制作是從芯片表面向芯片內(nèi)部挖一條溝,故將此結(jié)構(gòu)稱為槽結(jié)構(gòu),由于腰極溝槽化,使單胞單元尺寸縮小到原來(lái)的1/5,降低了MOSFET的溝道電阻,提高了單位芯片面積的電流密度,能制造同樣額定電流而芯片尺寸最小的電源適配器。

  ③采用新材料,改進(jìn)產(chǎn)品特性。下一代的發(fā)展趨勢(shì)之一是采用替代Si的新型材料來(lái)改進(jìn)電源適配器特性;第二是通過(guò)壽命時(shí)間控制法,局部制作窗口,減少Uce(sat)的依賴特性,不提高Uce(sat)就能使開(kāi)關(guān)特性達(dá)到高速化;第三是借助精細(xì)加工降低MOs部分的溝通電阻?利用這些方式,就能使開(kāi)關(guān)特性與MOSFET相同,從而使其Uce(sat)與晶閘管相同的狀況成為現(xiàn)實(shí)。