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基本的電磁兼容控制技術(shù)

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基本的電磁兼容控制技術(shù)

電源適配器最常用也是最基本的電磁兼容控制技術(shù)是屏蔽、濾波、接地。此外平衡技術(shù)、低電平技術(shù)等也是電磁兼容的重要控制技術(shù)。隨著新工藝、新材料、新產(chǎn)品的出現(xiàn)，電磁兼容控制技術(shù)也得到不斷的發(fā)展。

1.屏蔽
主要用于切斷通過空間的靜電耦合、感應(yīng)耦合形成的電磁噪聲傳播途徑，這三種耦合又對(duì)應(yīng)于靜電屏蔽、磁場(chǎng)屏蔽與電磁屏蔽，衡量屏蔽的質(zhì)量采用屏蔽效能這一指標(biāo)。
2.濾波
在頻域上處理電磁噪聲的一種技術(shù)，其特點(diǎn)是將不需要的一部分頻譜濾掉。
3.接地
提供有用信號(hào)或無(wú)用信號(hào)，電磁噪聲的公共通路。 接地的好壞則直接影響到設(shè)備內(nèi)部和外部的電磁兼容性。


1.5 電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)
為了確保設(shè)備及其各單元必須滿足的電磁兼容工作特性，國(guó)際有關(guān)機(jī)構(gòu)、各國(guó)政府和軍事部門以及其他相關(guān)組織制定了一系列的電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn)。標(biāo)準(zhǔn)對(duì)設(shè)備電磁騷擾發(fā)射和電磁抗擾度作出了規(guī)定和限制。電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn)是進(jìn)行電磁兼容性設(shè)計(jì)的指導(dǎo)性文件，也是電磁兼容性試驗(yàn)的依據(jù)，因?yàn)樵囼?yàn)項(xiàng)目、測(cè)試方法和極限值等到都是標(biāo)準(zhǔn)給定的。


1.5.1 電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)的制訂
電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)主要通過標(biāo)準(zhǔn)化組織來制訂，國(guó)際上制定電磁兼容的主要標(biāo)準(zhǔn)化組織如下表所示。
表1-1國(guó)際上主要標(biāo)準(zhǔn)化組織和標(biāo)準(zhǔn)

國(guó)家或組織 制訂單位 標(biāo)準(zhǔn)名稱
IEC CISPR CISPR Pub.XX
TC77 IEC XXXXX
歐共體 CENELEC EN XXXXX
美國(guó) FCC FCC Part XX
MIL MIL-STD.XXX
德國(guó) VDE VDE XXX
日本 VCCI VCCI

IEC(國(guó)際電工委員會(huì))有兩個(gè)平等的組織制訂 EMC 標(biāo)準(zhǔn)，即 CISPR(國(guó)際無(wú)線電干擾特別委員會(huì))和 TC77(第 77 技術(shù)委員會(huì))。
CENELEC(歐洲電工標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì))由歐共體委員會(huì)授權(quán)制訂歐洲標(biāo)準(zhǔn) EN(European Norm)。
FCC(美國(guó)聯(lián)邦通信委員會(huì))主要制訂民用標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)于電磁兼容的標(biāo)準(zhǔn)主要包括在 FCC Part15 和 FCC Part18 中。
MIL-STD 是美國(guó)軍用標(biāo)準(zhǔn)。
德國(guó)的 VDE（電氣工程師協(xié)會(huì)）是世界上最早建立電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)的組織之一。
日本的 VCCI（干擾自愿控制委員會(huì)）是民間機(jī)構(gòu)，其標(biāo)準(zhǔn)與 CISPR 和 IEC標(biāo)準(zhǔn)一致。
我國(guó)的 EMC 標(biāo)準(zhǔn)化工作是在國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局的領(lǐng)導(dǎo)下進(jìn)行的。 國(guó)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)以GB、 GB/T 開頭。我國(guó)自從 1983 年發(fā)布第一個(gè) EMC 標(biāo)準(zhǔn)（GB3907－1983）以來，至今已發(fā)布了 47 個(gè)有關(guān)的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，其中 32 個(gè)強(qiáng)制， 15 個(gè)推薦。我國(guó)的 EMC 標(biāo)準(zhǔn)絕大多數(shù)引進(jìn)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。其來源包括：
國(guó)際無(wú)線電干擾特別委員會(huì)出版物。例如 GB/T6113， GB14023
國(guó)際電工委員會(huì)。例如 GB4365， GB/T13926
部分引自美國(guó)軍用標(biāo)準(zhǔn)。例如 GB15540
部分引自國(guó)際電信聯(lián)盟有關(guān)文件。例如 GB/T15658
引自國(guó)外先進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)。例如 GB6833
根據(jù)我國(guó)自己的科研成果制定的標(biāo)準(zhǔn),例如GB/T15708為了世界貿(mào)易的需要，我國(guó)的很多電源適配器EMC標(biāo)準(zhǔn)都采用了CISPR和IEC標(biāo)準(zhǔn)。實(shí)際上，世界上大多數(shù)國(guó)家采用CISPR和IEC的標(biāo)準(zhǔn)。 


電源適配器EMC標(biāo)準(zhǔn)擬訂的理論基礎(chǔ)

電源適配器EMC標(biāo)準(zhǔn)的主要內(nèi)容之一就是規(guī)定電磁騷擾和電磁抗擾度的極限值，極限值的制訂在理論上應(yīng)該滿足下圖所示的原則： 


圖1-2 EMC標(biāo)準(zhǔn)擬訂的理論基礎(chǔ)
電源適配器EMI和EMS是相互對(duì)立的兩個(gè)方面，上圖說明，設(shè)備的EMI極限值與EMS極限值之間應(yīng)該留有足夠的余量（IM），即設(shè)備EMI發(fā)射要小于其抗擾度（EMS），這樣設(shè)備才有足夠的抗干擾能力。另一方面，設(shè)備的EMI、EMS實(shí)測(cè)值應(yīng)該與極限值之間有足夠的余量。比如在EN300 386標(biāo)準(zhǔn)中，輻射發(fā)射的極限值（EMI Limit）為40dBuV/m，而輻射抗擾度極限值為130dBuV。由此可見，EMI、EMS極限值之間余量的重要性。



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| 發(fā)布時(shí)間：2018.06.11    來源：華為技術(shù)
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