12V1.5A電源適配器方案設(shè)計(jì)計(jì)算步驟 |
12V電源適配器方案設(shè)計(jì)計(jì)算步驟 芯片:...... 1輸入:100-264V 2輸出:12V1.5A 3效率:84%(5級(jí)能效80.2%,為便于生產(chǎn)故選84%) 4Vcc:14V(選擇VCC開(kāi)啟閥值) 5工作頻率:60K (PFM) 這里講下PFM PFM優(yōu)點(diǎn)空載時(shí)處于降頻模式也就降低了我們的開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗及IC負(fù)載低于一定的時(shí)候進(jìn)入睡眠模式就是IC規(guī)格書(shū)中寫(xiě)到的靜態(tài)電流穩(wěn)態(tài)電流,就是說(shuō)降低了IC的消耗,缺點(diǎn)是紋波動(dòng)態(tài)響應(yīng)沒(méi)有PWM好 6Dmax:0.45 占空比大于0.5會(huì)帶來(lái)環(huán)路不穩(wěn)定的缺陷所以大家都控制在0.5以?xún)?nèi) 7ΔB:(Bs-Br)*n=ΔB=(390-55)*0.6=0.2T Bs:390mT/100℃ Br:55mT 各家參數(shù)不同安全值取0.3Tmax CCM連續(xù)模式,電流不為零,ΔB變小,n取60% ΔB取值個(gè)人習(xí)慣 8Vinmin、Vinmax計(jì)算: Vinmin=Vacmin*1.2=90*1.2=108V Vinmax=Vac*1.414=374V 9磁芯選擇: AP=【(Po/η+Po)*10000】/(2*ΔB*?*J*Ku) =【(18/0.84+18)*10000】/(2*0.2*60*1000*400*0.2) =394285.7/1920000 =0.205cm4 ?=60*1000 (Hz) J電流密度=400 Ku繞組系數(shù)=0.2 EF25 AP=0.2376cm4 AE=51.8 mm2 12V電源適配器設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn): 1、Ae值小效率低溫度高,磁芯面積小扇熱差,罐裝磁芯輻射好,長(zhǎng)寬磁芯漏感小。 2、Ae=Po*2 本人更喜歡這個(gè)公式Ae=18*2*1.4=50.4mm2 取:EF25:AE:51.8mm2 當(dāng)然以上2種都可以選擇。 10Np計(jì)算: 初級(jí)匝數(shù): Np=VINmin*ton/ΔB/AE Np=108*7.5/0.2/51.8 =78.18T 取整79T 11NS計(jì)算: 次級(jí)匝數(shù):NS=(Vo+Vd)*(1-Dmax)*NP/(VINmin*Dmax) =(18+0.6)*(1-0.45)*78/(108*0.45) =11.12T取整11T 12N計(jì)算: 匝比計(jì)算:N=Np/Ns=79/11=7.18T 13Iav計(jì)算 平均電流:Iav=Po/η/Vinmin =18/0.84/108 =0.198A 14Ipk計(jì)算:峰值電流計(jì)算 Ipk=Ipk1+Ipk2=Iav*2/Dmax =0.198*2/0.45=0.88A 15ΔI計(jì)算: 電流變化率ΔI 計(jì)算:CCM Ip2=3Ip1 DCM Ip1=0 0.88/4=IP1=0.22 0.22*3=IP2=0.66 ΔI =Ip2-Ip1 =0.66-0.22=0.44A 16電流有效值CCM:Irms==0.88*0.512=.45A 17Lp計(jì)算: 初級(jí)電感量計(jì)算:Lp=Vinmin*ton/ΔI=108*7.5/0.44=1.8mH 我們實(shí)際使用的要比計(jì)算的小一些這里算一個(gè)經(jīng)驗(yàn)值吧再乘以0.7=1.26mH 18驗(yàn)證是否飽和:ΔB=Lp*Ipk/Np/Ae=1.26*0.88/79/51.8=0.27T<0.3T 19Ipks計(jì)算: 次級(jí)峰值電流:Ipks=Ipk*N=0.88*7.18=6.3A 20Irmss計(jì)算: 12V電源適配器次級(jí)有效值計(jì)算: CCM Irms=6.3*0.566=3.57A 21Dp計(jì)算 初級(jí)線(xiàn)徑計(jì)算:Dp=(Irms/π/J)開(kāi)根號(hào)*2 =(0.45/3.14/6)開(kāi)根號(hào)*2=0.3mm J電流密度取5-7 22Ds計(jì)算: 次級(jí)線(xiàn)徑計(jì)算:Ds= (3.75/3.14/7)開(kāi)根號(hào)*2=0.82mm 繞不下的情況下降額70%=0.57 J電流密度取6-8 集膚深度:導(dǎo)線(xiàn)線(xiàn)徑不超過(guò)集膚深度的2倍,若超過(guò)集膚深度,則需多股并繞。δ=66.1/√∫cm=66.1/244.94=0.269mm 0.269*2=0.54 多股線(xiàn)計(jì)算=0.7/根號(hào)股數(shù)=0.57/1.414=0.4mm*2 23Nvcc計(jì)算: 反饋繞組計(jì)算: Va=(Vo+Vd)/Ns=12.6/11=1.145V/T Nvcc=Vcc/Va =14/1.145 =12.22T 取12T Lp:1.2mm 1K0.25V Np:79T 0.3mm Ns:11T 0.4*2mm Nvcc:12T 0.15mm NP放在第一層這樣每咋的長(zhǎng)度最短減少匝間電容,起線(xiàn)放在MOS端使dv/di最大的部分被繞組屏蔽EMI較好 Vcc繞組PSR放在最外層,有利于初次級(jí)耦合減少初級(jí)和Vcc繞組耦合有利于輸出電壓精度 SSR模式將Vcc放在初次級(jí)之間充當(dāng)屏蔽。盡量滿(mǎn)層。 變壓器繞指的幾個(gè)經(jīng)驗(yàn)規(guī)則 ①初級(jí)繞組必須在最里層:這樣可以縮短每匝導(dǎo)線(xiàn)的長(zhǎng)度,減小其分布電容,同時(shí)初級(jí)繞組還能被其他繞組屏蔽,降低其電磁干擾。 ②初級(jí)繞組的起始端應(yīng)接到MOSFET 漏極:利用初級(jí)繞組的其余部分和其他繞組將其屏蔽,較小從初級(jí)耦合到其他地方的電磁干擾。 ③初級(jí)繞組設(shè)計(jì)成2 層以下:這樣能把初級(jí)分布電容和漏感降到最低,在初級(jí)各層間加1 絕緣層,能將分布電容減小到原來(lái)的1/4 左右。 ④繞制多路輸出的次級(jí)繞組:輸出功率最大的次級(jí)繞組應(yīng)靠近初級(jí),以減小漏感。如次級(jí)匝數(shù)少,無(wú)法繞滿(mǎn)一層,可在匝間留間隙以便充滿(mǎn)整個(gè)骨架,當(dāng)然最好是采用多股并繞的方法。 ⑤反饋繞組一般在最外層:此時(shí)反饋繞組與次級(jí)繞組間耦合最強(qiáng),對(duì)輸出電壓的變化反應(yīng)靈敏,還能減小反饋繞組與初級(jí)繞組的耦合程度以提高穩(wěn)定性。 ⑥屏蔽層的設(shè)計(jì):在初、次級(jí)之間增加屏蔽層可減小共模干擾,最經(jīng)濟(jì)的辦法是在初次級(jí)間專(zhuān)繞一層漆包線(xiàn),一端接Vi(或Vd),另一端懸空并用絕緣帶絕緣而不引出,線(xiàn)徑可選0.35mm。但是因?yàn)榫€(xiàn)于線(xiàn)之間有間隙沒(méi)有銅箔效果好。 ⑦銅片屏蔽帶:可用1 銅片環(huán)繞在變壓器外部,構(gòu)成屏蔽帶,相當(dāng)于短路環(huán),對(duì)泄漏磁場(chǎng)起抑制作用,屏蔽帶應(yīng)與Vd 連通 8. 安全試驗(yàn):變壓器繞好后在外面纏3 層絕緣膠帶,插入磁芯,浸入清漆,然后進(jìn)行安全測(cè)試。對(duì)于110V電源,初次級(jí)間應(yīng)能承受2000V 交流試驗(yàn)電壓,持續(xù)時(shí)間60s,漏電距離為2.5~3mm;對(duì)于220V 電源,需承受3000V 的交流試驗(yàn)電壓,漏電距離為5~6mm。各繞組首尾引出端需加絕緣套管,套管壁厚不得小于0.4mm。 下面聊下調(diào)試經(jīng)驗(yàn) 1/2*Lp*Ipk*Ipk*?=Po/η PFM 變頻模式 這里要設(shè)計(jì)好頻率一般滿(mǎn)載60K 頻率高了變壓器和輸入大點(diǎn)解溫度會(huì)下降但是MOS溫度會(huì)上升所以這里要調(diào)試一個(gè)平衡。 1/4*N*Ipk=Io 匝比大了Ipk會(huì)下來(lái)MOS的溫度會(huì)下降,肖特基反向電壓下降,但是變壓溫度會(huì)上升 Vds電壓會(huì)升高 初級(jí)級(jí)之間加屏蔽,銅箔屏蔽要比線(xiàn)屏蔽效果好,線(xiàn)跟線(xiàn)之間存在縫隙。需要時(shí)磁芯外可以包外屏蔽但是屏蔽也是會(huì)產(chǎn)生損耗的效率會(huì)下降。 在效率低Vds高的情況下可以采用三明治繞法提升效率減小Vds 變壓器計(jì)算完了,網(wǎng)上有很多計(jì)算方法我這算是結(jié)合驗(yàn)證還是蠻準(zhǔn)的.
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| 發(fā)布時(shí)間:2017.10.24 來(lái)源:12V電源適配器廠(chǎng)家 |
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