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同步整流技術(shù)

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同步整流技術(shù)

   同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專用功率MOSFET,來取代整流二極管以降低整流損耗的一項(xiàng)新技術(shù)。同步整流技術(shù)能大大提高DC/DC電源適配器的效率并且不存在由肖特基勢壘電壓而造成的死區(qū)電壓。作為整流電路的主要元件,通常用的是整流二極管(利用它的單向?qū)щ娞匦裕?,它可以理解為一種被動(dòng)式器件:只要有足夠的正向電壓它就導(dǎo)通,而不需要另外的控制電路。但其導(dǎo)通壓降較高,快恢復(fù)二極管(FRD)或超快恢復(fù)二極管(SRD)可達(dá)1.0~1.2V,即使采用低壓降的肖特基二極管(SBD),也會產(chǎn)生大約0.6V的壓降。這個(gè)壓降完全是做的無用功,并且整流二極管是一種固定壓降的器件,舉個(gè)例子:如有一個(gè)管子壓降為0.7V,其整流為12V時(shí)它的前端要等效12.7V電壓,損耗占0.7/12.7≈5.5%。而當(dāng)其為3.3V整流時(shí),損耗為0.7/(3.3+0.7)≈17.5%??梢姶祟惼骷诘蛪捍箅娏鞯墓ぷ鳝h(huán)境下其損耗是何等地驚人。這就導(dǎo)致電源效率降低,損耗產(chǎn)生的熱能導(dǎo)致整流管溫度的上升,進(jìn)而導(dǎo)致電源適配器的溫度上升、機(jī)箱溫度上升,有時(shí)系統(tǒng)運(yùn)行不穩(wěn)定、電腦硬件使用壽命急劇縮短都是拜這個(gè)高溫所賜。
同步整流技術(shù)采用通態(tài)電阻極低的功率MOSFET來取代整流二極管,能大大降低整流電路的損耗,提高DC/DC變頻器的效率,滿足低壓、大電流整流器的需要。DC/DC電源適配器的損耗主要由三部分組成:功率開關(guān)管的損耗,高頻變壓器的損耗,輸出整流管的損耗。在低電壓、大電流輸出的情況下,整流二極管的導(dǎo)通壓降較高,輸出端整流管的損耗尤為突出??旎謴?fù)二極管或超快恢復(fù)二極管可達(dá)1.0~1.2V,即使采用低壓降的肖特基二極管,也會產(chǎn)生0.4V~0.8V的壓降,導(dǎo)致整流損耗增大,電源效率降低。因此,傳統(tǒng)的二極管整流電路已無法滿足實(shí)現(xiàn)低電壓、大電流電源適配器高效率、小體積的需要,成為制約DC/DC變頻器提高效率的瓶頸。
作為取代整流二極管以降低整流損耗的一種新器件,功率MOSFET屬于電壓控制型器件,它在導(dǎo)通時(shí)的伏安特性呈線性關(guān)系。因?yàn)橛霉β蔒OSFET做整流器時(shí),要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能,故稱之為同步整流。它可以理解為一種主動(dòng)式器件,必須要在其控制極(柵極)有一定電壓才能允許電流通過,這種復(fù)雜的控制要求得到的回報(bào)就是極小的電流損耗。根據(jù)同步整流管控制方式的不同,可將同步整流器分為兩類:外部驅(qū)動(dòng)式同步整流器和自驅(qū)動(dòng)式同步整流器。
外部驅(qū)動(dòng)式同步整流器的門極驅(qū)動(dòng)電壓需要從附加的外設(shè)驅(qū)動(dòng)電路獲得。為了實(shí)現(xiàn)同步,驅(qū)動(dòng)電路必須由電源適配器主開關(guān)管的驅(qū)動(dòng)信號來加以控制,外驅(qū)動(dòng)電路可以提供較精確的控制時(shí)序?,F(xiàn)在已開發(fā)出一些外部驅(qū)動(dòng)控制集成電路,如IR1175、MW系列IC等。外部驅(qū)動(dòng)同步整流的缺點(diǎn)是:驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜,需要有控制檢測、定時(shí)邏輯、同步變壓器等。驅(qū)動(dòng)電路有損耗,價(jià)格貴,開發(fā)周期長等,限制了外部驅(qū)動(dòng)同步整流技術(shù)的廣泛應(yīng)用。
自驅(qū)動(dòng)式同步整流器又分為電壓驅(qū)動(dòng)型(voltagedriven)同步整流器和電流驅(qū)動(dòng)型同步整流器。
電流驅(qū)動(dòng)同步整流器通過檢測流過同步整流管的電流,確定是否開通還是關(guān)斷同步整流管,因此,它需要電流檢測器件,比如電流互感器,或者采用自帶電流檢測的功率MOSFET及其輔助控制和驅(qū)動(dòng)電路。電流同步整流器的主要優(yōu)點(diǎn)是拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)獨(dú)立,可以直接替代任何電源適配器適配器中的二極管,具有極強(qiáng)的通用性。
電壓驅(qū)動(dòng)同步整流器的驅(qū)動(dòng)電壓信號來自變壓器輔助繞組或者電感耦合繞組,同步整流管根據(jù)變壓器輔助繞組或者電感耦合繞組電壓極性自動(dòng)開通或關(guān)斷,結(jié)構(gòu)簡單、經(jīng)濟(jì)高效,成為目前受到廣泛關(guān)注的同步整流器驅(qū)動(dòng)技術(shù)。
整流管VT3和續(xù)流管VT2的驅(qū)動(dòng)電壓從變壓器的副邊繞組取出,加在MOS管的柵G和漏D之間,如果在獨(dú)立的電路中MOS管這樣應(yīng)用不能完全開通,損耗很大,但用在同步整流時(shí)是可行的簡化方案。由于這兩個(gè)管子開關(guān)狀態(tài)互瑣,一個(gè)管子開,另一個(gè)管子關(guān),所以我們只簡要分析電感電流連續(xù)時(shí)的開通情況,我們知道MOS管具有體內(nèi)寄生的反并聯(lián)二極管,這樣電感電流連續(xù)應(yīng)用時(shí),MOS管在真正開通之前并聯(lián)的二極管已經(jīng)開通,把源S和漏D相對柵的電平保持一致,加在GD之間的電壓等同于加在GS之間的電壓,這樣變壓器副邊繞組同銘端為正時(shí),整流管VT3的柵漏電壓為正,整流管零壓開通,當(dāng)變壓器副邊繞組為負(fù)時(shí),續(xù)流管VT2開通,濾波電感續(xù)流。柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能,故稱之為同步整流。

電壓自驅(qū)動(dòng)同步整流
1.工作原理
圖是采用電壓驅(qū)動(dòng)同步整流雙管正激電源適配器的原理圖,工作原理如下:當(dāng)主開關(guān)管Q1和Q4都開通時(shí),變壓器副邊電壓為正,同步整流管S1的門極承受正電壓導(dǎo)通;S2的門極承受負(fù)電壓關(guān)斷。此時(shí),負(fù)載電流流經(jīng)同步整流管S1。當(dāng)主開關(guān)管Q1和Q4都關(guān)斷時(shí),變壓器副邊電壓為負(fù),同步整流管S2的門極承受正電壓導(dǎo)通;S1的門極承受負(fù)電壓關(guān)斷。此時(shí),負(fù)載電流流經(jīng)同步整流管S2。

圖電壓驅(qū)動(dòng)同步整流雙管正激電源適配器原理圖
從對傳統(tǒng)雙管正激變壓器基本原理的分析中,我們可以知道,在主開關(guān)管Q1和Q4都關(guān)斷時(shí),變壓器開始磁復(fù)位。在下一個(gè)開關(guān)周期開始時(shí),磁復(fù)位必須結(jié)束,否則變壓器發(fā)生磁偏滯而逐漸飽和,不能繼續(xù)傳遞能量。假設(shè)在下一個(gè)開關(guān)周期導(dǎo)通之前的某一時(shí)刻,變壓器磁復(fù)位結(jié)束,變壓器副邊電壓為0。變壓器副邊電壓為0至下一個(gè)開關(guān)周期開始的這段時(shí)間稱為死區(qū)時(shí)間。在死區(qū)時(shí)間內(nèi)S1和S2的門極電壓為0,因此都不能導(dǎo)通。這時(shí)候,負(fù)載電流流經(jīng)續(xù)流同步整流管S2的體二極管,而不是功率MOSFET。
為了優(yōu)化驅(qū)動(dòng)波形,可以采用分離的輔助繞組來分別驅(qū)動(dòng)兩個(gè)同步整流管,比起傳統(tǒng)的副邊繞組直接驅(qū)動(dòng)的同步整流電源適配器來說,這種驅(qū)動(dòng)方式無工作電流通過驅(qū)動(dòng)繞組,因此不需要建立輸出電流的時(shí)間,MOSFET能夠迅速開通,開通時(shí)的死區(qū)時(shí)間即體二極管導(dǎo)通的時(shí)間減少了一半,另一方面驅(qū)動(dòng)電壓不只局限于副邊電壓,可以通過調(diào)整輔助線圈來得到合適的驅(qū)動(dòng)電壓。
在一般情況下,轉(zhuǎn)換器輕載時(shí)將在不連續(xù)電流模式(dcm)下工作。但電壓型自驅(qū)動(dòng)的同步整流理論上是一個(gè)雙向開關(guān),輕載時(shí)負(fù)載電流可能繼續(xù)反向流過輸出電感,形成環(huán)路電流,產(chǎn)生附加損耗,使轉(zhuǎn)換器效率下降。

2.電感電流斷流模式(DCM)下的環(huán)路電流損耗問題
連續(xù)CCM與斷續(xù)DCM通常指工作電流.連續(xù)CCM:當(dāng)輸出電流未降到0時(shí).藕合電感又將能量傳輸?shù)捷敵?斷續(xù)DCM當(dāng)輸出電流降到0時(shí).藕合電感才將能量傳輸?shù)捷敵?
一般小功率產(chǎn)品最好工作在DCM下好些,反之則CCM.與電感 頻率有關(guān) .
根據(jù)對傳統(tǒng)雙管正激電源適配器的穩(wěn)態(tài)分析可知,電源適配器在穩(wěn)定運(yùn)行時(shí)存在兩種可能的運(yùn)行狀態(tài):連續(xù)傳導(dǎo)模式(CCM)和非連續(xù)傳導(dǎo)(DCM)。
當(dāng)負(fù)載電流Io減小到臨界輸出電流Io以下時(shí),對于副邊采用傳統(tǒng)二極管續(xù)流工作的正激電源適配器來說,將會出現(xiàn)電感電流斷續(xù)的工作情況,電源適配器進(jìn)入DCM模式。但是當(dāng)副邊采用同步整流工作時(shí),由于續(xù)流MOSFET的雙向?qū)ǖ奶匦?,使得此時(shí)的電感電流能夠反向,產(chǎn)生環(huán)流,有了環(huán)流就會產(chǎn)生環(huán)流能量,如圖6-12所示。這個(gè)能量的大小和輸出濾波電感有關(guān),輸出濾波電感越小,環(huán)流就會越大,環(huán)流能量越大,損耗也越大。所以由于同步整流器不能從CCM模態(tài)自動(dòng)切換到DCM模態(tài),輕載時(shí)就會產(chǎn)生很大的環(huán)流損耗。環(huán)流損耗、開關(guān)驅(qū)動(dòng)損耗和開關(guān)損耗使得電源適配器的輕載時(shí)的效率較低。值得注意的是,續(xù)流MOSFET一定要在反向電流產(chǎn)生前截止。如果已經(jīng)產(chǎn)生了反向電流以后才使MOSFET截止,此時(shí)反向電流迅速下降,產(chǎn)生很大的di/dt,會在續(xù)流MOSFET源極和漏極兩端產(chǎn)生很高的電壓尖峰,這個(gè)電壓尖峰甚至可能高于MOSFET的耐壓,使續(xù)流MOSFET擊穿,在這種控制方式下,重載時(shí)由續(xù)流同步整流管續(xù)流,輕載時(shí)由肖特基管續(xù)流,電感電流將進(jìn)入DCM模式,這樣減少了導(dǎo)通損耗,提高了輕載時(shí)電源適配器的效率。

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| 發(fā)布時(shí)間:2019.07.15    來源:電源適配器廠家
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